靜電無(wú)處不在，手機靜電放電的ESD問(wèn)題不容忽視，它可能會(huì )造成手機工作異常、死機，甚至損壞并引發(fā)其他的安全問(wèn)題。所以在手機上市之前，我國都強行要求進(jìn)行入網(wǎng)測試，而入網(wǎng)測試中明確要求進(jìn)行ESD和其它浪涌沖擊的測試。其中接觸放電需要做到%26；#177；8kV靜電正常，空氣放電需要做到%26；#177；15kV靜電正常，這就對ESD的設計提出了較高的要求。

　　如何解決與防護手機中ESD問(wèn)題？
　　1、殼體的設計
　　如果將釋放的靜電看成是洪水的話(huà)，那么主要的解決方法與治水類(lèi)似，就是“堵”和“疏”。如果有一個(gè)理想的殼體是密不透風(fēng)的，靜電也就無(wú)從而入，當然不會(huì )有靜電問(wèn)題了。但實(shí)際的殼體在合蓋處常有縫隙，而且許多還有金屬的裝飾片，所以一定要加以注意。 其一，用“堵”的方法。盡量增加殼體的厚離，即增加外殼到電路板之間的距離，或者通過(guò)一些等效方法增加殼體氣隙的距離，這樣可以避免或者大大減少ESD的能量強度。 通過(guò)結構的改進(jìn)，可以增大外殼到內部電路之間氣隙的距離，從而使ESD的能量大大減弱。根據經(jīng)驗，8kV的ESD在經(jīng)過(guò)4mm的距離后能量一般衰減為零。 其二，用“疏”的方法，可以用EMI油漆噴涂在殼體的內側。EMI油漆是導電的，可以看成是一個(gè)金屬的屏蔽層，這樣可以將靜電導在殼體上；再將殼體與PCB（Printed Circuit Board）的地連接，將靜電從地導走。這樣處理的方法除了可以防止靜電，還能有效抑制EMI的干擾。如果有足夠的空間，還可以用一個(gè)金屬屏蔽罩將其中的電路保護起來(lái)，金屬屏蔽罩再連接PCB的GND。用金屬屏蔽罩將模塊保護起來(lái)。 總之，ESD設計殼體上需要注意很多地方，首先是盡量不讓ESD進(jìn)入殼體內部，最大限度地減弱其進(jìn)入殼體的能量。對于進(jìn)入殼體內部的ESD盡量將其從GND導走，不要讓其危害電路的其它部分。殼體上的金屬裝飾物使用時(shí)一定要小心，因為很可能帶來(lái)意想不到的結果，需要特別注意。
　　2、手機PCB設計
　　手機PCB（Printed Circuit Board）都是高密度板，通常為6層板。隨著(zhù)密度的增加，趨勢是使用8層板，其設計一直都需要考慮性能與面積的平衡。一方面，越大的空間可以有更多的空間擺放元器件，同時(shí)，走線(xiàn)的線(xiàn)寬和線(xiàn)距越寬，對于EMI、音頻、ESD等各方面性能都有好處。另一方面，手機體積設計的小巧又是趨勢與需要。所以，設計時(shí)需要找到平衡點(diǎn)。就ESD問(wèn)題而言，設計上需要注意的地方很多，尤其是關(guān)于GND布線(xiàn)的設計以及線(xiàn)矩，很有講究。
　　PCB設計中應該注意的要點(diǎn)：
　�。�1）PCB板邊（包括通孔Via邊界）與其它布線(xiàn)之間的距離應大于0.3mm；
　�。�2）PCB的板邊最好全部用GND走線(xiàn)包圍；
　�。�3）GND與其它布線(xiàn)之間的距離保持在0.2mm～0.3mm；
　�。�4）Vbat與其它布線(xiàn)之間的距離保持在0.2mm～0.3mm；
　�。�5）重要的線(xiàn)如Reset、Clock等與其它布線(xiàn)之間的距離應大于0.3mm；
　�。�6）大功率的線(xiàn)如PA等與其它布線(xiàn)之間的距離保持在0.2mm～0.3mm；
　�。�7）不同層的GND之間應有盡可能多的通孔（VIa）相連；
　�。�8）在最后的鋪地時(shí)應盡量避免尖角，有尖角應盡量使其平滑。
　　3、手機電路設計
　　在殼體和PCB的設計中，對ESD問(wèn)題加以注意之后，ESD還會(huì )不可避免地進(jìn)入到手機電路中，尤其是以下幾個(gè)部件：SIM卡的CPU讀卡電路、鍵盤(pán)電路、耳機、麥克風(fēng)電路、數據接口、電源接口、USB接口、彩屏LCD驅動(dòng)接口，這些部位很可能將人體的靜電引入手機中。所以，需要在這些部分中使用ESD防護器件。ESD防護器件主要有以下幾種：
　�。�1）氣體放電管（GDT）。它是具有一定氣密的玻璃或陶瓷外殼，中間充滿(mǎn)穩定的氣體，如氖或氬，并保持一定壓力。GDT通流量大、極間電容小，可自行恢復，其缺點(diǎn)是響應速度太慢，放電電壓不夠精確，壽命短，電性能會(huì )隨時(shí)間變化。
　�。�2）壓敏電阻（MOV）。它是陶瓷元件，將氧化鋅和添加劑在一定條件下“燒結”，電阻受電壓的強烈影響，其電流隨著(zhù)電壓的升高而急劇上升。壓敏電阻內部發(fā)熱量很大，其缺點(diǎn)是響應速度慢，性能會(huì )因多次使用而變差，極間電容大。
　�。�3）閘流二極管（TSS）。它是半導體元件，閘流二極管開(kāi)始時(shí)不會(huì )導通，處于“阻斷”狀態(tài)。當“過(guò)電壓”上升到閘流管的“放電電壓”時(shí)，導通并產(chǎn)生放電電流；當電流下降到最小值時(shí)，閘流管會(huì )重新“阻斷”，并恢復到原來(lái)的“斷路狀態(tài)”。
　�。�4）瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它是半導體器件，由于其最大特點(diǎn)是快速反應（1ns～5ns）、非常低的極間電容（1pf～3pf），很小的漏電流（1μA）和很大的耐流量，尤其是其結合芯片的方式，非常適合各種接口的防護。 因為T(mén)VS具有體積小、反應速度快等優(yōu)點(diǎn)，現在的設計中使用TVS作為防護器件的比例越來(lái)越多。在使用時(shí)應注意放在需要保護的器件旁邊，到地的連線(xiàn)盡可能短，器件的布線(xiàn)應成串聯(lián)型，而不能布成并聯(lián)型。 ESD的問(wèn)題是眾多重要問(wèn)題之一。在不同的電子設備中有不同的方式來(lái)避免對電路的危害。由于手機體積小、密度大，在ESD的防護上有獨到的特點(diǎn)。